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CEM3407L	文件：628.62 Kbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5.1A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=115mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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