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BLM9D1822-30B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLM9D1822-30B
廠(chǎng)商型號(hào)

BLM9D1822-30B

參數(shù)屬性

BLM9D1822-30B 封裝/外殼為20-QFN 裸露焊盤(pán);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP

功能描述

LDMOS 2-stage integrated Doherty MMIC
BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP

封裝外殼

20-QFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

1.56131 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Ampleon安譜隆

中文名稱(chēng)

安譜隆官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 18:11:00

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BLM9D1822-30B規(guī)格書(shū)詳情

BLM9D1822-30B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLM9D1822-30B晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

The BLM9D1822-30B is a 2-stage fully integrated Doherty MMIC solution using

Ampleon's state of the art GEN9 LDMOS technology. The carrier and peaking device,

input splitter and output combiner are integrated in a single package. This multiband

device is perfectly suited as general purpose driver or small cell final in the frequency

range from 1800 MHz to 2200 MHz. Available in PQFN outline.

Features and benefits

? Integrated input splitter

? Integrated output combiner

? high efficiency

? Designed for broadband operation (frequency 1800 MHz to 2200 MHz)

? Independent control of carrier and peaking bias

? Integrated ESD protection

? Excellent thermal stability

? Source impedance 50 ?; high power gain

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? RF power MMIC for multi-carrier and multi-standard GSM, W-CDMA and LTE base

stations in the 1800 MHz to 2200 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLM9D1822-30BZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.8GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    29.3dB

  • 額定電流(安培):

    1.4μA

  • 功率 - 輸出:

    45.9dBm

  • 封裝/外殼:

    20-QFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    20-PQFN(8x8)

  • 描述:

    BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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