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BLP05M7200分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP05M7200
廠商型號

BLP05M7200

參數(shù)屬性

BLP05M7200 封裝/外殼為4-HSOPF,SOT-1138;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1139

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1139

封裝外殼

4-HSOPF,SOT-1138

文件大小

750.84 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 8:24:00

BLP05M7200規(guī)格書詳情

BLP05M7200屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP05M7200晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

200 W LDMOS power transistor for various applications such as ISM and RF plasma

lighting at frequencies from 425 MHz to 450 MHz.

Features and benefits

? High efficiency

? Excellent ruggedness

? Excellent thermal stability

? Integrated ESD protection

? Easy power control

? Designed for ISM operation (425 MHz to 450 MHz)

? Input integration for simple board design

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? RF power amplifiers for CW applications in the 425 MHz to 450 MHz frequency range

such as ISM and RF plasma lighting.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLP05M7200Y

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    440MHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 輸出:

    210W

  • 封裝/外殼:

    4-HSOPF,SOT-1138

  • 供應商器件封裝:

    4-HSOP

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1139

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Ampleon USA Inc.
2022+
4-HSOP
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22+
TO220 TO263 PDFN5x6
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