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BLP9G0722-20分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP9G0722-20
廠商型號(hào)

BLP9G0722-20

參數(shù)屬性

BLP9G0722-20 封裝/外殼為SOT-1482-1;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1

功能描述

Power LDMOS transistor
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1

文件大小

1.80472 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-31 22:30:00

BLP9G0722-20規(guī)格書詳情

BLP9G0722-20屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP9G0722-20晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

20 W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

100 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

? High efficiency

? Excellent ruggedness

? Designed for broadband operation

? Excellent thermal stability

? High power gain

? Integrated ESD protection

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? FDD/TDD LTE ? W-CDMA

? GSM EDGE ? MC-GSM

? CDMA ? WiMAX

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLP9G0722-20Z

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    400MHz ~ 2.7GHz

  • 增益:

    19dB

  • 額定電流(安培):

    1.4μA

  • 功率 - 輸出:

    43dBm

  • 封裝/外殼:

    SOT-1482-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-1482-1

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AMPLEONUSAINC
2020+
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