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BLS6G3135S-20中文資料恩智浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLS6G3135S-20
廠商型號

BLS6G3135S-20

功能描述

LDMOS S-Band radar power transistor

文件大小

255.2 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 16:42:00

BLS6G3135S-20規(guī)格書詳情

General description

20 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range.

Features and benefits

■ Typical pulsed RF performance at a frequency of 3.1 GHz to 3.5 GHz, a supply voltage

of 32 V, an IDq of 50 mA, a tp of 300 μs and a δ of 10 :

◆ Output power = 20 W

◆ Power gain = 15.5 dB

◆ Efficiency = 45

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (3.1 GHz to 3.5 GHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

■ S-Band power amplifiers for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz frequency

range

產品屬性

  • 型號:

    BLS6G3135S-20

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    LDMOS S-Band radar power transistor

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
SMD
68900
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NXP/恩智浦
23+
TO-59
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NXP
23+
SMD
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NXP
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SMD
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Ampleon USA Inc.
2022+
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NXP
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SMD
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22+
NA
30000
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NXP/恩智浦
23+
TO-59
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24+
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NXP/恩智浦
23+
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