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2SC4081UB

Marking：BP；Package：UMT3F；General purpose small signal amplifier

Features 1)LowCob. Cob=2.0pF(Typ.) 2)Complementsthe2SA1576UB. Applications Generalpurposesmallsignalamplifier Structure NPNsiliconepitaxialplanartransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

6.0SMAJ16CA

Marking：BP；Package：DO-214AC；5.0 To 200V 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)

Glasspassivatedchip 600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000uswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260°C/10satterminals. RoHScompliant Features

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

824500161

Marking：BP；WE-TVSP Power TVS Diode

GeneralInformation: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+150°Cunderworst caseconditions OperatingTemperature-65upto+150°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

824521161

Marking：BP；WE-TVSP Power TVS Diode

GeneralInformation: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+150°Cunderworst caseconditions OperatingTemperature-65upto+150°C StorageConditions(inoriginal packaging)

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍爾特伍爾特集團

ACDBQC0130L-HF

Marking：BP；Package：SOD-923F；Low VF SMD Schottky Barrier Diode

Features -Lowforwardvoltage. -Majoritycarrierconduction. -Extremelythinpackage. -Designedformountingonsmallsurface. -AEC-Q101Qualified.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

ACDBUC0130L-HF

Marking：BP；Package：SOD-523F；SMD Schottky Barrier Diode

Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Majoritycarrierconduction. -AEC-Q101Qualified&PPAP.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

AL17052V5W5-7

Marking：BP；Package：SOT25；700V BUCK CONVERTER WITH SMALL INDUCTOR

Features ?SmallInductor(330μH)Operation ?Ultra-FastStartup,

DIODES

Diodes Incorporated

BC51PA

Marking：BP；Package：HUSON3；45 V, 1 A PNP medium power transistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BD4734

Marking：BP；Package：SSOP5；Bipolar Voltage Detector ICs

Description TheBD47□□GSeriesisaresetICthatwasdevelopedtopreventsystemerrorsattransientstatewhenthepowerofCPUorlogiccircuitswitchesON/OFFormomentaryshutdown.TheseICsconsistofthreeterminals(powersupply,GNDandresetoutput)todetectpowersupplyvoltagesand

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

BD4734

Marking：BP；Package：SSOP5；Bipolar Voltage Detector ICs

Description TheBD47□□GSeriesisaresetICthatwasdevelopedtopreventsystemerrorsattransientstatewhenthepowerofCPUorlogiccircuitswitchesON/OFFormomentaryshutdown.TheseICsconsistofthreeterminals(powersupply,GNDandresetoutput)todetectpowersupplyvoltagesand

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

晶體管資料

  • 型號：

    BP1A3M...L3N

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    電源整流 （R）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.7A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.75W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    25

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.7

  • wtest：

    0.75

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BP

  • 功能描述：

    NiCd - 鎳鎘電池 600mAH NiCd Batt Pac

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Power-Sonic

  • 輸出電壓：

    3.6 V

  • 容量：

    110 mAh

  • 端接類型：

    Pressure Contacts

  • 可再充電/不可再充電：

    Rechargeable

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SILERGY/矽力杰
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
SILERGY/矽力杰
23+
NA/
3859
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
23+
TSSOP
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
23+
TSSOP
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
PANASONIC/松下
23
SOT323
15000
全新原裝現(xiàn)貨 價格優(yōu)勢
 詢價
Y
DFN
6698
詢價
2407+
TSOP8
7750
原裝現(xiàn)貨!實單直說!特價!
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23+
PLCC68
16567
正品:QQ;2987726803
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MIC
2023+
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5800
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24+
QFN-6
35200
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更多BP供應商 更新時間2025-2-20 10:59:00

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