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D2003

METALGATERFSILICONFET

GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES ?SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN ?SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS ?VERYLOWCrss ?SIMPLEBIASCIRCUITS ?LOWNOISE ?HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS ?VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto1G

SEME-LAB

Seme LAB

D2003UK

METALGATERFSILICONFET

GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES ?SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN ?SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS ?VERYLOWCrss ?SIMPLEBIASCIRCUITS ?LOWNOISE ?HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS ?VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto1G

SEME-LAB

Seme LAB

DG2003

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG2003

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG2003DQ

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG2003DQ

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DGD2003

HALF-BRIDGEGATEDRIVER

DIODES

Diodes Incorporated

DGD2003

HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-8

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto200V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsinaHalf-BridgeConfiguration -290mASource/600mASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -InternalDeadTimeof420nstoProtectMOSFETs -WideLowSideGat

DIODES

Diodes Incorporated

DL-LS2003

INFRAREDLASERDIODE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類(lèi)制造商

DMP2003UPS

20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BQ2003PN

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 電池充電器

  • 包裝：

    管件

  • 電池化學(xué)成份：

    多化學(xué)

  • 電流 - 充電：

    恒流

  • 可編程特性：

    定時(shí)器，電壓

  • 電壓 -?供電（最高）：

    5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    16-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    16-PDIP

  • 描述：

    IC BATT CONTRL MULTI-CHEM 16DIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Texas Instruments
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更多BQ2003PN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-6 17:26:00

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