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BQ4011YMA-200集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BQ4011YMA-200 |
參數(shù)屬性 | BQ4011YMA-200 封裝/外殼為28-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP |
功能描述 | 32 k ? 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) |
文件大小 |
353.95 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI1【德州儀器】 |
中文名稱 | 德州儀器官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-3 16:41:00 |
BQ4011YMA-200規(guī)格書詳情
BQ4011YMA-200屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ4011YMA-200存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BQ4011YMA-200
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
200ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
28-DIP 模塊(18.42x37.72)
- 描述:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
23+ |
28-Dip |
7750 |
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Texas Instruments |
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