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BQ4016MC-70集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4016MC-70
廠商型號

BQ4016MC-70

參數(shù)屬性

BQ4016MC-70 封裝/外殼為36-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

功能描述

1024Kx8 Nonvolatile SRAM
IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

文件大小

897.06 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 18:11:00

BQ4016MC-70規(guī)格書詳情

BQ4016MC-70屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ4016MC-70存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4016MC-70

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-DIP 模塊

  • 描述:

    IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NA
22+
N/A
354000
詢價
Texas Instruments
23+/24+
36-DIP
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
TI
21+
36DIP Module (18.42x52.96)
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
Texas Instruments
24+
36-DIP 模塊(0.610 15.49mm)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
TI/TEXAS
23+
36-DIPModul
8931
詢價
TI
21+
36-DIP
36800
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
詢價
TI
24+
DIP-36
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
詢價
TI
23+
36-DIP
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價
TI
20+
DIP
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
TI
23+
DIP-36
12000
全新原裝假一賠十
詢價