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BQ4016YMC-70集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4016YMC-70
廠商型號

BQ4016YMC-70

參數(shù)屬性

BQ4016YMC-70 封裝/外殼為36-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

功能描述

1024Kx8 Nonvolatile SRAM
IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

封裝外殼

36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

文件大小

897.06 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 18:03:00

BQ4016YMC-70規(guī)格書詳情

BQ4016YMC-70屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ4016YMC-70存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4016YMC-70

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-DIP 模塊

  • 描述:

    IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NA
22+
N/A
354000
詢價
TI/TEXAS
23+
36-DIPModul
8931
詢價
TI
24+
36-DIP
6368
專注TI原裝正品代理分銷,認準水星電子
詢價
Texas Instruments
24+
NA
18125
TI優(yōu)勢主營型號-原裝正品
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TI
21+
36-DIP
13880
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17+
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23+/24+
36-DIP
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
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