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BR34E02FVT-WTR

DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

●Description BR34E02FVT-Wis256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) ●Features ?256×8bitarchitectureserialEEPROM ?Wideoperatingvoltagerange:1.7V-3.6V ?Two-wireserialinterface ?HighreliabilityconnectionusingAupadsandAuwires ?Se

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羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34E02NUX-3E2

Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM

GeneralDescription BR34E02-3is256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) Features 256×8bitArchitectureSerialEEPROM WideOperatingVoltageRange:1.7Vto5.5V Two-WireSerialInterface Self-TimedEraseandWriteCycle PageWriteFunction(16

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34E02NUX-3TR

Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM

GeneralDescription BR34E02-3is256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) Features 256×8bitArchitectureSerialEEPROM WideOperatingVoltageRange:1.7Vto5.5V Two-WireSerialInterface Self-TimedEraseandWriteCycle PageWriteFunction(16

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34E02NUX-WE2

DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

●Description BR34E02FVT-Wis256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) ●Features ?256×8bitarchitectureserialEEPROM ?Wideoperatingvoltagerange:1.7V-3.6V ?Two-wireserialinterface ?HighreliabilityconnectionusingAupadsandAuwires ?Se

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羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34E02NUX-WTR

DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

●Description BR34E02FVT-Wis256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) ●Features ?256×8bitarchitectureserialEEPROM ?Wideoperatingvoltagerange:1.7V-3.6V ?Two-wireserialinterface ?HighreliabilityconnectionusingAupadsandAuwires ?Se

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羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34E02-W

DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

●Description BR34E02FVT-Wis256×8bitElectricallyErasablePROM(BasedonSerialPresenceDetect) ●Features ?256×8bitarchitectureserialEEPROM ?Wideoperatingvoltagerange:1.7V-3.6V ?Two-wireserialinterface ?HighreliabilityconnectionusingAupadsandAuwires ?Se

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羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34L02FVT-WE2

2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module

●DESCRIPTION BR34L02-Wis2KbitSerialI2CBUSElectricallyErasablePROM(basedonSerialPresenceDetect)forDRAMMemoryModule ●FEATURES 256×8bitarchitectureserialEEPROM Wideoperatingvoltagerange(1.7V～5.5V) Twowireserialinterface Highreliabilityconnectiono

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羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34L02FV-W

256? bit Electrically Erasable PROM

TheBR34L02FV-Wisa2kbitEEPROMmemorywithwrite-protectfunctionhavingindependentrewriteinhibitarea,developedforaDIMMthatusessynchronousDRAMmemory,andaRIMMthatusesRAMBUSDRAMmemory.ThisisamemoryICthatreadsIDinorderforthePlug&Playfeaturetooperate. Fe

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BR34L02FV-WE2

2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module

●DESCRIPTION BR34L02-Wis2KbitSerialI2CBUSElectricallyErasablePROM(basedonSerialPresenceDetect)forDRAMMemoryModule ●FEATURES 256×8bitarchitectureserialEEPROM Wideoperatingvoltagerange(1.7V～5.5V) Twowireserialinterface Highreliabilityconnectiono

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羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

BR34L02-W

2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module

●DESCRIPTION BR34L02-Wis2KbitSerialI2CBUSElectricallyErasablePROM(basedonSerialPresenceDetect)forDRAMMemoryModule ●FEATURES 256×8bitarchitectureserialEEPROM Wideoperatingvoltagerange(1.7V～5.5V) Twowireserialinterface Highreliabilityconnectiono

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晶體管資料

  • 型號：

    BR3

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    90V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BSP32,

  • 最大耗散功率：

    1.5W

  • 放大倍數(shù)：

    β>40

  • 圖片代號：

    H-99

  • vtest：

    90

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    1.5

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BR3

  • 制造商：

    TE Connectivity Laird

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RF 天線

  • 包裝：

    袋

  • 頻率組：

    VHF（f < 300MHz）

  • 頻率（中心/帶）：

    37MHz

  • 頻率范圍：

    32MHz ~ 42MHz

  • 天線類型：

    鞭狀，直形

  • VSWR：

    1.5

  • 增益：

    2dB

  • 端接：

    UHF 母頭

  • 安裝類型：

    支架安裝

  • 高度（最大值）：

    18.500'（563.88cm）

  • 描述：

    RF ANT 37MHZ WHIP STR UHF FEM

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