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BRA114ETP	文件：125.2 Kbytes Page：12 Pages	PNPBuilt-inResistorTransistorTO-92SeriesInverter,Driver,Switching Features ?Built–inResistorType ?SimplifiesCircuitDesign ?ReducesBoardSpace ?ComplementarypairwithBRC144ETPseries	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BRC114ECM	文件：118.33 Kbytes Page：12 Pages	NPNBuilt-inResistorTransistorCMPAKSeriesInverter,Driver,Switching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BSH114	文件：287.27 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefieldeffecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Lowon-stateresistance ■Veryfastswitching ■Surfacemountpackage. Applications ■Relaydriver ■DCtoDCconverter ■Generalpurposes	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH114	文件：1.91664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?Materialcategorization: APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?LoadSwitch ?LEDBacklightinginLCDTVs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
BSH114	文件：310.41 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefieldeffecttransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BSH114	文件：388.49 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefieldeffecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH114inSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nLowon-stateresistance nVeryfastswitching nSurfacemountpackage. 3.Applications nRela	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BTS114	文件：335.97 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS114	文件：575.2 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS114	文件：333.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BTS114A	文件：335.97 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS114A	文件：575.2 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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C114	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C-114	文件：99.84 Kbytes Page：1 Pages	BI-DIRECTIONALCOUPLERS	MERRIMAC Merrimac Industries, Inc.	MERRIMAC
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C114C-K-G	文件：935.35 Kbytes Page：14 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED Multilayerceramiccapacitorsareavailableinavarietyofphysicalsizesandconfigurations,includingleadeddevicesandsurfacemountedchips.Leadedstylesincludemoldedandconformallycoatedpartswithaxialandradialleads.However	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
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