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BSP110

N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeanddesignedforuseintelephoneringercircuitsandforapplicationinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?No

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSP110

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

BSP110

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSP110inSOT223. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSurfacemountpackage. 3.Applications nRela

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BSR110FE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司

BSR110GE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司

BSR110JE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

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BSR110KE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

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BSR110ME

ThickFilm2512SurgeResistors

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瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司

BSS110

P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS110

SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel)

SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

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更多BS-110供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-3 8:58:00

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