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BS107RLRA

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts

SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts N-ChannelTO-92 Features ?Pb?FreePackageisAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BS108

200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL

LogicLevelTMOS N–ChannelEnhancementMode ThisTMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. ?LowDriveRequirement,VGS=3

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BS108

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speed

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BS108

DMOS Transistors (N-Channel)

FEATURES ?Highbreakdownvoltage ?Highinputimpedance ?Lowgatethresholdvoltage ?Lowdrain-sourceONresistance ?High-speedswitching ?Nominoritycarrierstoragetime ?CMOSlogiccompatibleinput ?Nothermalrunaway ?Nosecondarybreakdown ?Speciallysui

GE

GE Industrial Company

BS108

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BS108G

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BS108ZL1

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BS108ZL1G

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N?ChannelTO?92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features ?LowDr

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BS112

WIDE WAVELENGTH BAND TYPE PHOTODIODE

BlueSensitivePhotodiodes

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國(guó)夏普微電子公司（SMA）

BS115

CAN PACKAGE PHOTODIODE FOR VISIBLE LIGHT

CanPackagePhotodiodeforVisibleLight Applications 1.LCDbacklightmonitor 2.Exposuremeter

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國(guó)夏普微電子公司（SMA）

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BS1

  • 功能描述：

    EURO-CASSETTE 100W 5.1V

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    電源 - 外部/內(nèi)部（非板載） >> DC DC Converters

  • 系列：

    *

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    Quint

  • 類型：

    隔離

  • 輸入電壓：

    24V

  • 輸出：

    24V

  • 輸出數(shù)：

    1 輸出 - 1 @

  • 電流（最大）：

    24 VDC @ 50A 輸出 - 2 @

  • 電流（最大）：

    - 輸出 - 3 @

  • 電流（最大）：

    - 輸出 - 4 @

  • 電流（最大）：

    -

  • 功率（瓦特）：

    1200W

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 工作溫度：

    0°C ~ 40°C

  • 效率：

    -

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 尺寸/尺寸：

    4.33 L x 9.09 W x 6.14 H（110mm x 231mm x 156mm）

  • 包裝：

    散裝 電源（瓦特）-

  • 最大：

    1200W

  • 批準(zhǔn)：

    -

  • 其它名稱：

    277-69722866365-NDQUINT-BAT/24DC/12AH

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Bel
22+
NA
80
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POWER-ONE
23+
SIPDIP
56688
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更多BS1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 10:08:00

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