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BS170

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BS170

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR

Features ?HighInputImpedance ?FastSwitchingSpeed ?CMOSLogicCompatibleInput ?NoThermalRunawayorSecondaryBreakdFeatures

DIODES

Diodes Incorporated

BS170

DMOS Transistors (N-Channel)

FEATURES ?Highinputimpedance ?High-speedswitching ?Nominoritycarrierstoragetime ?CMOSlogiccompatibleinput ?Nothermalrunaway ?Nosecondarybreakdown

GE

GE Industrial Company

BS170

Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingONSemiconductorsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.The

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BS170

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=0.8...2.0V

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BS170

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BS170F

60Volt VDS

FEATURES *60VoltVDS *RDS(ON)=5? PARTMARKINGDETAIL–MV

DIODES

Diodes Incorporated

BS170FTA

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

FEATURES *60VoltVDS *RDS(ON)=5? PARTMARKINGDETAIL–MV

DIODES

Diodes Incorporated

BS170FTA

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?LowThreshold:2V(typ.) ?LowInputCapacitance:25pF ?FastSwitchingSpeed:25ns ?LowInputandOutputLeakage ?TrenchFET?PowerMOSFET ?1200VESDProtection ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS ?Low

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

BS170FTA

Marking：MV；Package：SOT-23；N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowThreshold:2V(typ.) ?LowInputCapacitance:25pF ?FastSwitchingSpeed:25ns ?LowInputandOutputLeakage ?TrenchFET?PowerMOSFET ?1200VESDProtection ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS ?L

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BS1

  • 功能描述：

    EURO-CASSETTE 100W 5.1V

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    電源 - 外部/內(nèi)部（非板載） >> DC DC Converters

  • 系列：

    *

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    Quint

  • 類型：

    隔離

  • 輸入電壓：

    24V

  • 輸出：

    24V

  • 輸出數(shù)：

    1 輸出 - 1 @

  • 電流（最大）：

    24 VDC @ 50A 輸出 - 2 @

  • 電流（最大）：

    - 輸出 - 3 @

  • 電流（最大）：

    - 輸出 - 4 @

  • 電流（最大）：

    -

  • 功率（瓦特）：

    1200W

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 工作溫度：

    0°C ~ 40°C

  • 效率：

    -

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 尺寸/尺寸：

    4.33 L x 9.09 W x 6.14 H（110mm x 231mm x 156mm）

  • 包裝：

    散裝 電源（瓦特）-

  • 最大：

    1200W

  • 批準(zhǔn)：

    -

  • 其它名稱：

    277-69722866365-NDQUINT-BAT/24DC/12AH

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更多BS1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 10:08:00

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