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BS170PSTZ	文件：626.5 Kbytes Page：6 Pages	Marking：BS170P；Package：E-Line；60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET Features BVDSS>60V RDS(ON)≤5Ω@VGS=10V ID=270mAMaximumContinuousDrainCurrent TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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BS170RLRAG	文件：98.34 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET500mA,60Volts SmallSignalMOSFET500mA,60Volts N?ChannelTO?92(TO?226) Features ?Pb?FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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BS170RLRP	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETSmallSignalMOSFETSmallSignalMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingONSemiconductorsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.The	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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BSP170	文件：101.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeAvalancherated) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?VGS(th)=-2.1...-4.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSP170	文件：560.92 Kbytes Page：8 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
BSP170P	文件：152.82 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(P-ChannelEnhancementmodeAvalancherateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ●P-Channel ●Enhancementmode ●Avalancherated ●dv/dtrated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSP170P	文件：298.3 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSP170P	文件：82.73 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features ?P-Channel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoAECQ101 ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSP170P	文件：953.89 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
BSP170P	文件：1.82825 Mbytes Page：5 Pages	60VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application ●DC-DCConverters. ●LoadSwitch. ●PowerManagement.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSP170P	文件：560.92 Kbytes Page：8 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
BVS170TS-EPC	文件：321.7 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLEDLAMPS [GRANDHALO] SURFACEMOUNTLEDLAMPS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BS170PSTZ
功能描述：
MOSFET N-Chnl 60V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BS170PSTZ供應(yīng)商更新時間2025-1-18 16:59:00

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