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BSC060N10NS3

OptiMOS3Power-Transistor

Features ?Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC060N10NS3G

OptiMOS3Power-Transistor

Features ?Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BSC060N10NS3 G

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
英飛凌
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TDSON-8
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全新原裝,絕對正品,公司大量現(xiàn)貨供應.
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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全新原裝優(yōu)勢
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進口原裝正品優(yōu)勢供應
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全新進口原裝現(xiàn)貨QQ:505546343手機17621633780曹小姐
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INFINEON
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絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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更多BSC060N10NS3 G供應商 更新時間2025-3-10 11:04:00