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082N10N

100VN-ChannelMOSFET

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?VDS=100V ?ID(atVGS=10V)=80A ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

BSC082N10LSG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TF082N10NG

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

●GeneralDescription TheTF082N10NGusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchi

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BSC082N10LS G

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BSC082N10LS G供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 14:30:00