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BSC060N10NS3

OptiMOS3Power-Transistor

Features ?Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC060N10NS3G

OptiMOS3Power-Transistor

Features ?Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BSC060N10NS3GA

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R

  • 功能描述：

    N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BSC060N10NS3GA供應(yīng)商 更新時間2025-2-7 15:00:00

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