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BSH205G2

Marking：KB；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET

Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Lowon-stateresistance ?TrenchMOSFETtechnology ?Enhanced

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BSH205G2A

Marking：Q8；Package：SOT23；20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?TrenchMOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BSH205G2R

Marking：WT1X；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

PWMapplications Loadswitch Powermanagement

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

BSH205G2_15

20 V, P-channel Trench MOSFET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BSH205G2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 14:50:00

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