首頁(yè)>BSM200GA120DN2S>芯片詳情

BSM200GA120DN2S_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 1200V 200A SINGLE中宸芯科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    BSM200GA120DN2S

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Infineon

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    500

  • 產(chǎn)品封裝：

    Tray

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 16:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：BSM200GA120DN2S品牌：Infineon

原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    BSM200GA120DN2S

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    201.5 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HighSpeed 2-Technology

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    BSM200GA120DN2S

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 1200V 200A SINGLE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中宸芯科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    15112997909

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    15112997909

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道吉華路535號(hào)泊萊中心大廈5樓512

相近型號(hào)