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BSM200GA170DN2S

IGBT Power Module

?Singleswitch ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate ?RGon,min=6.8Ohm

eupec

eupec GmbH

BSM200GA170DN2

英飛凌IGBT模塊BSM200GA170DN2

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PDF上傳者：蘇州銀邦電子科技有限公司

BSM200GA170DN2

IGBTPowerModule

?Singleswitch ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate ?RGon,min=6.8Ohm

eupec

eupec GmbH

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BSM200GA170DN2S

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 290A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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只做原裝，可提供樣品
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更多BSM200GA170DN2S供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 9:12:00

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