首頁>BSM200GA170DN2S>詳情

BSM200GA170DN2S_EUPEC_IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 290A維爾達(dá)電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    BSM200GA170DN2S

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    EUPEC

  • 庫存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    200A/1700V/I

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2023+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：BSM200GA170DN2S品牌：EUPEC

一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    BSM200GA170DN2S

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    EUPEC詳情

  • 廠商全稱：

    eupec GmbH

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    324.15 kb

  • 資料說明：

    IGBT Power Module

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    BSM200GA170DN2S

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 290A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市維爾達(dá)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    連先生

  • 手機(jī)：

    13544094624

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83465779

  • 傳真：

    0755-83465779

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)友誼路上步工業(yè)區(qū)403棟鈺裕大廈東座3層318

相近型號(hào)