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BSM200GAL120DN_EUPEC_IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH毅創(chuàng)騰電子

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  • 廠家型號(hào)：

    BSM200GAL120DN

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    EUPEC/eupec GmbH

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    595

  • 產(chǎn)品封裝：

    模塊

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-18 8:24:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：BSM200GAL120DN品牌：EUPEC

全新原裝正品,量大可訂貨!可開(kāi)17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!

  • 芯片型號(hào)：

    BSM200GAL120DN2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    SIEMENS【西門(mén)子】詳情

  • 廠商全稱：

    Siemens Ltd

  • 中文名稱：

    德國(guó)西門(mén)子股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    5 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    76.86 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    BSM200GAL120DN

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    華琦

  • 手機(jī)：

    13725570869

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    86-755-83616256/83210909

  • 傳真：

    86-755-83231283

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路現(xiàn)代之窗大廈B座18I室

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