訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
BSM200GB120
- 產(chǎn)品分類(lèi):
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫(kù)存數(shù)量:
1020
- 產(chǎn)品封裝:
MODULE
- 生產(chǎn)批號(hào):
24+
- 庫(kù)存類(lèi)型:
- 更新時(shí)間:
2025-1-6 14:03:00
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24+
2025-1-6 14:03:00
原廠料號(hào):BSM200GB120品牌:INFINEON
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時(shí)可以發(fā)貨
BSM200GB120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝MODULE/模塊的BSM200GB120晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
BSM200GB120
SIEMENS【西門(mén)子】詳情
Siemens Semiconductor Group
德國(guó)西門(mén)子股份公司
9 頁(yè)
128.3 kb
IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
描述
BSM200GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies
托盤(pán)
半橋
3V @ 15V,200A
標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)
150°C(TJ)
底座安裝
模塊
模塊
IGBT MOD 1200V 290A 1400W
瀚佳科技(深圳)有限公司
李先生李小姐
13827426716/13480654098
0755-23140719/23915992
0755-23140719
深圳市福田區(qū)振華路中航苑鼎城大夏1607室