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BSM200GB120DN2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

BSM200GB120DN2
廠商型號

BSM200GB120DN2
參數(shù)屬性

BSM200GB120DN2 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 290A 1400W
功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
封裝外殼

模塊
文件大小

130.979 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS【西門子】

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-8 16:58:00

BSM200GB120DN2規(guī)格書詳情

IGBT Power Module

? Half-bridge

? Including fast free-wheeling diodes

? Package with insulated metal base plate

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BSM200GB120DN2HOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，200A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 290A 1400W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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