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BSM200GT120DN2_EUPEC_IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK勤思達(dá)二部

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    BSM200GT120DN2

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    EUPEC

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    200

  • 產(chǎn)品封裝：

    主營(yíng)模塊

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    10+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 11:04:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：BSM200GT120DN2品牌：EUPEC

全新原裝,絕對(duì)正品,現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 芯片型號(hào)：

    BSM200GT120DN2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    SIEMENS【西門(mén)子】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Siemens Semiconductor Group

  • 中文名稱(chēng)：

    德國(guó)西門(mén)子股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    180 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    BSM200GT120DN2

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市勤思達(dá)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小玲

  • 手機(jī)：

    18948336722

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82710921/83264115/83265164/83268779

  • 傳真：

    0755-83955172

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園4棟中12樓A4-2L

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