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BSM35GB120DN2分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BSM35GB120DN2 |
| 參數屬性 | BSM35GB120DN2 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊；產品描述：IGBT MOD 1200V 50A 280W |
| 功能描述 | 英飛凌IGBT模塊 BSM35GB120DN2 |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
259.375 Kbytes |
| 頁面數量 |
10 頁 |
| 生產廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 資料整理 | 蘇州銀邦電子科技有限公司 |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-6 22:50:00 |
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BSM35GB120DN2屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產的BSM35GB120DN2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產品屬性
更多- 產品編號：
BSM35GB120DN2HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
半橋
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，35A
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MOD 1200V 50A 280W
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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