首頁>BSM50GD120DN2E3226BOSA1>詳情

BSM50GD120DN2E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 EUPEC

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    BSM50GD120DN2E

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    EUPEC/歐派克

  • 庫存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 11:10:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BSM50GD120DN2E品牌：EUPEC/歐派克

原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種

  • 芯片型號：

    BSM50GD120DN2E3226

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    SIEMENS【西門子】詳情

  • 廠商全稱：

    Siemens Semiconductor Group

  • 中文名稱：

    德國西門子股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    132.73 kb

  • 資料說明：

    IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BSM50GD120DN2E3226BOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 50A 350W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商

相近型號