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BSM50GD120DN2E3226 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號：

    BSM50GD120DN2E3226

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Infineon

  • 庫存數(shù)量：

    500

  • 產(chǎn)品封裝：

    Tray

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-18 16:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號：BSM50GD120DN2E3226品牌：Infineon

原裝正品

BSM50GD120DN2E3226是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝Tray/模塊的BSM50GD120DN2E3226晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    BSM50GD120DN2E3226

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    SIEMENS【西門子】詳情

  • 廠商全稱：

    Siemens Semiconductor Group

  • 中文名稱：

    德國西門子股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    132.73 kb

  • 資料說明：

    IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BSM50GD120DN2E3226BOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 50A 350W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中宸芯科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機：

    15112997909

  • 詢價：
  • 電話：

    15112997909

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道吉華路535號泊萊中心大廈5樓512

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