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BSR33PAS

Marking：G3；Package：SOT1061D；80 V, 1 A PNP medium power transistor

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandSide-WettableFlanks (SWF). 2.Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Red

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BSR33PAS-Q

Marking：G3；Package：SOT1061D；80 V, 1 A PNP medium power transistor

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandSide-WettableFlanks (SWF). 2.Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Red

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安世安世半導體(中國)有限公司

BSR33-Q

Marking：BR4；Package：SOT89；80 V, 1 A PNP medium power transistor

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorinaSOT89Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:BSR43-Q 2.Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity ?Qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BSR33QTA

Marking：BR4；Package：SOT89；80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

Features ?BVCEO>-80V ?IC=-1AHighContinuousCurrent ?LowsaturationvoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

BSR33TA

Marking：BR4；Package：SOT89；80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

Features ?BVCEO>-80V ?IC=-1AHighContinuousCurrent ?LowsaturationvoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

BSR40

NPN Medium Power Transistors

Features Highcurrent(max.1A) Lowvoltage(max.80V).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BSR40

Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V) ?Thickandthin-filmcircuits. ?Telephonyandgeneralindustrialapplications. ?NPNcomplements:BSR30,BSR31andBSR33.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

BSR40

Marking：AR1；Package：SOT-89；NPN medium power Transistors

FEATURES ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V). ●Thickandthin-filmcircuits. ●Telephonyandgeneralindustrialapplications. ●NPNcomplements:BSR30,BSR31andBSR33.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

BSR40

NPN medium power transistors

DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BSR30;BSR3andBSR33. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Thickandthin-filmcircuits ?Telephonyandgeneralindustrialapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSR40

NPN medium power transistors

DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BSR30;BSR31andBSR33. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Thickandthin-filmcircuits ?Telephonyandgeneralindustrialapplications.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

晶體管資料

  • 型號：

    BSR12

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_開關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    15V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    >1.5GHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SA1764,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    15

  • htest：

    1500100000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BSR

  • 制造商：

    MPD (Memory Protection Devices)

  • 類別：

    電池產(chǎn)品 > 配件

  • 包裝：

    散裝

  • 配件類型：

    鉚釘

  • 配套使用/相關(guān)產(chǎn)品：

    9V 電池扣

  • 描述：

    9V FASTENING RIVET FOR SNAP

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更多BSR供應商 更新時間2025-4-9 15:24:00

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