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BSR33

Marking：BR4；Package：SOT89；80 V, 1 A PNP medium power transistor

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorinaSOT89Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:BSR43 2.Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity ?AEC-Q101qua

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BSR33

Marking：BR4；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES LowVoltage HighCurrent ComplementtoBSR43 AAPLICATIONS MediumPowerTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BSR33-Q

Marking：BR4；Package：SOT89；80 V, 1 A PNP medium power transistor

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorinaSOT89Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:BSR43-Q 2.Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity ?Qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BSR33QTA

Marking：BR4；Package：SOT89；80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

Features ?BVCEO>-80V ?IC=-1AHighContinuousCurrent ?LowsaturationvoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

BSR33TA

Marking：BR4；Package：SOT89；80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

Features ?BVCEO>-80V ?IC=-1AHighContinuousCurrent ?LowsaturationvoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

SMA6J14CA

Marking：BR4；Package：SMA；600 W Transient Voltage Suppressor

1.Generaldescription 600Wuni-andbi-directionalTransientVoltageSuppressor(TVS)inaSMASurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage,designedfortransientvoltageprotection. 2.Featuresandbenefits ?Ratedpeakpulsepowerat10/1000μswaveform:PPPM=600W ?Reversestandoff

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

HEBSR33

Marking：BR4；Package：SOT-89；GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

RBR40NS40A

Marking：BR40NS40A；Package：TO-263S；Schottky Barrier Diode

●Features Highreliability Powermoldtype Cathodecommondualtype LowVF ●Application Switchingpowersupply

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

STTH1R04UY

Marking：BR4Y；Package：SMB；Automotive ultrafast recovery diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

晶體管資料

  • 型號：

    BR4

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    90V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BSP33,

  • 最大耗散功率：

    1.5W

  • 放大倍數(shù)：

    β>100

  • 圖片代號：

    H-99

  • vtest：

    90

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    1.5

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BR4

  • 制造商：

    TE Connectivity Laird

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RF 天線

  • 包裝：

    袋

  • 頻率組：

    VHF（f < 300MHz）

  • 頻率（中心/帶）：

    46MHz

  • 頻率范圍：

    42MHz ~ 50MHz

  • 天線類型：

    鞭狀，直形

  • VSWR：

    1.5

  • 增益：

    2dB

  • 端接：

    UHF 母頭

  • 安裝類型：

    支架安裝

  • 高度（最大值）：

    18.500'（563.88cm）

  • 描述：

    RF ANT 46MHZ WHIP STR UHF FEM

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更多BR4供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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