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BSR33分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BSR33
廠商型號(hào)

BSR33

參數(shù)屬性

BSR33 封裝/外殼為T(mén)O-243AA;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89

功能描述

80 V, 1 A PNP medium power transistor

絲印標(biāo)識(shí)

BR4

封裝外殼

SOT89 / TO-243AA

文件大小

181.8 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

NEXPERIA安世

中文名稱(chēng)

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-24 14:30:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BSR33

  • 別名:

    BSR33三極管、BSR33晶體管、BSR33晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    90V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

    β>100

  • 圖片代號(hào):

    H-100

  • vtest:

    90

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0

BSR33規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

PNP medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: BSR43

2. Features and benefits

? High current

? High power dissipation capability

? Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Linear voltage regulators

? High-side switches

? Battery-driven devices

? MOSFET drivers

? Amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSR33,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A SOT89

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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