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BSS84

Marking：C84；Package：SOT-23；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapaci

DIODES

Diodes Incorporated

BSS84

Marking：SP；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BSS84

Small Signal MOSFET P-Channel

Features: *LowOn-Resistance:10Ω *LowInputCapacitance:30PF *LowOutputCapacitance:10PF *LowThreshole:2.0V *FastSwitchingSpeed:2.5ns Application: *DCtoDCConverter *Cellular&PCMCIACard *CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.

WEITRON

Weitron Technology

BSS84

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ThisisaP-channel,enhancement-modeMOSFET,housedintheindustrystandard,SOT-23package.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES LowOn-Resistance Availableinlead-freeplating(100mattetinfinish) LowGateThresholdVoltage

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BSS84

Marking：13*；Package：SOT-23；P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor

Generaldescription P-channelenhancementmodeverticalDiffusionMetal-OxideSemiconductor(DMOS)transistorinasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowthresholdvoltage ■High-speedswitching ■DirectinterfacetoCMOSand Transistor-TransistorLogic(TTL)

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BSS84

Marking：C84；Package：SOT-23；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant(Note3) ?GreenDevice(Note4) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability

DIODES

Diodes Incorporated

BSS84

SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BSS84

SOT-23 Field Effect Transistors

SOT-23FieldEffectTransistors P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司

BSS84

Energy Efficient

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETs DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsreducepowerlossconserveenergy,makingthisdeviceidealforuseinsmallpowermanagementcircuitry. FEATURE ●EnergyEfficient ●LowThresholdVoltage ●High-speedSwitching ●MiniatureSurfaceMountP

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BSS84

Marking：B84；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

ProductSummary ●VDS-60V ●ID-0.17A ●RDS(ON)(atVGS=-10V)

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BSS80(B,C)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BCX42,3CK10C,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BSS8

  • 制造商：

    TT Electronics/Welwyn

  • 制造商：

    Welwyn Components

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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