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BTP1207A3	文件：301.93 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description ?TheBTP1207A3isdesignedforgeneralpurposeamplification. ?LargeIC,IC(Max)=-0.6A ?HighBVCEO,BVCEO=-150V ?Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP1955L3	文件：264.11 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor Features ?4Ampscontinuouscurrent,upto10Ampspeakcurrent ?Verylowsaturationvoltage ?Excellentgaincharacteristicsspecifiedupto3Amps ?Ptot=3Watts ?Extremelylowequivalentonresistance,RCE(SAT)=75mΩat3A ?Pb-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP2907A3	文件：174.09 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description ?TheBTP2907A3isdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,mediumpowerapplications. ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Highspeedswitching. ?ComplementarytoBTN2222A3 ?Pb-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP2907AL3	文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description ?TheBTP2907AL3isdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ItishousedintheSOT-223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. ?LowVCE(sat) ?Highswitchingspeed. ?ComplementarytoBTN2222AL3	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP2907AS3	文件：146.34 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description ?TheBTP2907AS3isdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ItishousedintheSOT-323/SC-70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. ?LowVCE(sat) ?Highswitchingspeed. ?ComplementarytoBTN2222AS3	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP2907SL3	文件：264.1 Kbytes Page：7 Pages	Low VCE(sat) PNP Epitaxial Planar Transistor Features ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LowSaturationVoltage VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A,IB=-100mA). ?Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP2907SL3-0-T3-G	文件：264.1 Kbytes Page：7 Pages	Low VCE(sat) PNP Epitaxial Planar Transistor Features ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LowSaturationVoltage VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A,IB=-100mA). ?Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP3906A3	文件：154.37 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description ?HighCutoffFrequency. ?ComplementarytoBTN3904A3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP3906N3	文件：181.87 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description ?ComplementarytoBTN3904N3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP5401A3	文件：154.84 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description ?TheBTP5401A3isdesignedforgeneralpurposeamplification. ?LargeIC,IC(Max)=-0.6A ?HighBVCEO,BVCEO=-150V ?ComplementarytoBTN5551A3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP6520A3	文件：154.35 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor Features ?HighBreakdownVoltage:BVCEO≥-350V ?ComplementarytoBTN6517A3	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP6520N3	文件：151.01 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor Features ?HighBreakdownVoltage:BVCEO≥-350V ?ComplementarytoBTN6517N3	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP8550A3	文件：154.19 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description TheBTP8550A3isdesignedforuseinoutputamplifierofportableradiosinclassBpushpulloperation. Features ?Largecollectorcurrent,IC=-1.5A ?LowVCE(sat) ?ComplementarytoBTN8050A3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP8550BA3	文件：153.92 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description TheBTP8550BA3isdesignedforuseinoutputamplifierofportableradiosinclassBpushpulloperation. Features ?Largecollectorcurrent,IC=-1.5A ?LowVCE(sat) ?ComplementarytoBTN8050A3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP8550N3	文件：159 Kbytes Page：4 Pages	Low VCESAT PNP Epitaxial Planar Transistor Features ?LowVCE(SAT),-0.18V(typically)atIC=-500mA/IB=-50mA. ?ComplementarytoBTN8050N3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP8550SA3	文件：152.96 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Description TheBTP8550SA3isdesignedforuseinoutputamplifierofportableradiosinclassBpushpulloperation. Features ?Largecollectorcurrent,IC=-700mA ?LowVCE(sat) ?ComplementarytoBTN8050SA3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
BTP-183BLCQ-XX-08	文件：187.4 Kbytes Page：4 Pages	BriLux 1W Light Source	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO
BTP-183GBCQ-XX-08	文件：187.4 Kbytes Page：4 Pages	BriLux 1W Light Source	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BTP13005B-W	華晶CS	23+	TO-220AB	75857	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
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