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BUK4D110-20P

Marking：6N；Package：DFN2020MD-6；20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?TrenchMOSFETtechnology

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多BUK4D110-20P供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:22:00

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