首頁>BUP314>芯片詳情

BUP314_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A明嘉萊一部

BUP314

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    BUP314

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INF

  • 庫存數(shù)量：

    159534

  • 產(chǎn)品封裝：

    3P

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 11:39:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：BUP314品牌：INF

明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    BUP314

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    SIEMENS【西門子】詳情

  • 廠商全稱：

    Siemens Semiconductor Group

  • 中文名稱：

    德國西門子股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    89.91 kb

  • 資料說明：

    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    BUP314

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市明嘉萊科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/劉小姐

  • 手機(jī)：

    19168723357

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    19168723354/19168723317

  • 傳真：

    0755-83939536

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華路118號(hào)華麗大院西座1棟518

相近型號(hào)