BUR51分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BUR51 |
參數(shù)屬性 | BUR51 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 200V 60A TO3 |
功能描述 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
文件大小 |
65.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-7 11:09:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BUR51三極管、BUR51晶體管、BUR51晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
300V
- 最大電流允許值:
60A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
2
- 可代換的型號:
- 最大耗散功率:
350W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
E-44
- vtest:
300
- htest:
999900
- atest:
60
- wtest:
350
BUR51規(guī)格書詳情
BUR51屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的BUR51晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION
The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment.
■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
■ NPN TRANSISTOR
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BUR51
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 5A,50A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 5A,4V
- 頻率 - 躍遷:
16MHz
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
TO-204AA,TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3
- 描述:
TRANS NPN 200V 60A TO3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-3 |
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23+ |
原廠封裝 |
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現(xiàn)貨 |
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