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BUR51

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUR51isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedJedecTO-3metalcase,intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■NPNTRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BUR51

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BUR51

Package:TO-204AA,TO-3;包裝:剪切帶(CT)帶盒(TB) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN 200V 60A TO3

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BUR51S

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BUR51

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    60A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    350W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    60

  • wtest:

    350

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BUR51

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 5A,50A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    16MHz

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 60A TO3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
TO-3
10000
全新
詢價(jià)
ST
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TO-3
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來(lái)電查詢
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原裝正品,量大可定
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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STMicroelectronics
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38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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ST
23+
TO-3
3526
正品原裝貨價(jià)格低
詢價(jià)
更多BUR51供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 16:00:00