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TEPM08C

Marking:C08;Package:SOT-23;Bidirectional TVS Diode Array

RECTRON

Rectron Semiconductor

ZC004TG

Marking:C004T;Package:DFN3*3-8;N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state reistance

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

ZC005NG

Marking:C005N;Package:DFN3*3-8;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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ZC005TG

Marking:C005T;Package:DFN3*3-8;N-Channel MOSFET uses advanced SGT to minimize on-state reistance

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杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

ZC009NG

Marking:C009N;Package:DNF3*3-8;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

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ZC010NG

Marking:C010N;Package:DFN3*3-8;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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ZC010PG

Marking:C010P;Package:DNF3*3-8;P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

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ZC014PG

Marking:C014P;Package:DFN3*3-8;P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

ZC015PG

Marking:C014P;Package:DFN3*3-8;P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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晶體管資料

  • 型號:

    C055

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    120MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-23

  • vtest:

    20

  • htest:

    120000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    C0

  • 制造商:

    Emerson Network Power

  • 功能描述:

    DOCCDCC1000DMSHIPPABLE - Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
XTW
24+
QFN
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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