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CEB22N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,21.8A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP22N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,21.8A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

NTB22N06

N??hannelEnhancement??odeSiliconGate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTB22N06L

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTP22N06

N??hannelEnhancement??odeSiliconGate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTP22N06L

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

STK22N06

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.048? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CET/華瑞
23+
TO-263
360000
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
 詢價(jià)
YOKOWO
23+
16499
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
YOKOWO
ROHS
13352
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
CUI
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
CUI
22+
NA
10064
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
BURNDYELECTRONICS
新
1685
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
SR
23+
T0-263
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
CET
24+
TO-263
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
CET
TO-263
22+
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
CET
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多CEB22N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 10:34:00

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