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CED1210	文件：739.1 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,62A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED1210A	文件：500.61 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,53A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM1210	文件：770.04 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11.5A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM1210A	文件：466.88 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11.7A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM1210L	文件：444.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,13A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU1210	文件：739.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,62A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU1210A	文件：500.61 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,53A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM1210	文件：291.7 Kbytes Page：2 Pages	HighResistance/ThickFilmChipResistors	Riedon Riedon Powertron	Riedon
CHM1210	文件：47.85 Kbytes Page：2 Pages	PrecisionHighValueChipResistors	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
CHM-HT1210	文件：377.28 Kbytes Page：1 Pages	HighTemperatureChipResistors	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
CHR-HT1210	文件：377.28 Kbytes Page：1 Pages	HighTemperatureChipResistors	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
CHS1210	文件：44.97 Kbytes Page：2 Pages	HighResistanceThickFilmchipResistors	Riedon Riedon Powertron	Riedon
CHS1210	文件：47.49 Kbytes Page：2 Pages	High-ValueChipResistors	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
CHS-HT1210	文件：377.28 Kbytes Page：1 Pages	HighTemperatureChipResistors	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
CLR1210	文件：284.75 Kbytes Page：1 Pages	ThickFilmChipResistor	Riedon Riedon Powertron	Riedon
CLR1210	文件：167.71 Kbytes Page：1 Pages	ThickFilmChipResistor	Riedon Riedon Powertron	Riedon
CM1210	文件：561.44 Kbytes Page：13 Pages	1,2,4and8-ChannelVeryLowCapacitanceESDProtectors ProductDescription TheCM1210familyofdiodearrayshasbeendesignedtoprovideESDprotectionforelectroniccomponentsorsub-systemsrequiringminimalcapacitiveloading.Thesedevicesareidealforprotectingsystemswithhighdataandclockratesorforcircuitsrequiringlowcapacitivel	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
CMT1210	文件：832.14 Kbytes Page：1 Pages	MagneticTransducer(AC)	CANOPUSCanopus Electronics (H.K.) Ltd. 堪霖電子堪霖電子（香港）有限公司	CANOPUS
CPF1210	文件：2.52054 Mbytes Page：6 Pages	ThinFilmPrecisionResistors	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CPF1210	文件：2.53396 Mbytes Page：7 Pages	TypeCPFSeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM

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更多CED1210供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 16:20:00

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