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CED16N10	文件：628.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,13.3A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED16N10	文件：353.55 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED16N10L	文件：690 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,13.3A,RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED16N10L	文件：491.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED16N10SL	文件：518.02 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,12A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=165mW@VGS=3V. RDS(ON)=130mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED16N10L	文件：1.33831 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEP16N10	文件：615.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,15.2A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP16N10	文件：539.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,15.2A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP16N10L	文件：651.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,15.2A,RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP16N10L	文件：634.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,15.2A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU16N10	文件：353.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU16N10	文件：5.01082 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEU16N10	文件：628.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,13.3A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU16N10L	文件：690 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,13.3A,RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU16N10L	文件：5.01071 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEU16N10L	文件：491.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU16N10SL	文件：518.02 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=165mW@VGS=3V. RDS(ON)=130mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
ST16N10	文件：1.868 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
ST16N10	文件：1.00873 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
ST16N10	文件：729.44 Kbytes Page：6 Pages	TO-252Packagedesign	STANSON Stanson Technology	STANSON

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CED16N10
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	CED16N10	CET/華瑞	24+	TO-251	156527	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	CED16N10	CET	20+	TO-251	38900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	CED16N10	CET	21+	TO-251	100	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	CED16N10	CET/華瑞	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CED16N10	CET/華瑞	2022+	TO-251	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CED16N10	CET	21+	TO-251	10	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	CED16N10	CET	2213+	TO-251	4370	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CED16N10	CET/華瑞	2022+	TO-251	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	CED16N10	CET	23+	TO-251	10065	原裝正品,有掛有貨,假一賠十	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CED16N10	CET	23+	TO-251	50	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)

更多CED16N10供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 10:30:00

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