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CED20P06中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED20P06
廠商型號

CED20P06

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

610.74 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-26 8:30:00

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CED20P06規(guī)格書詳情

FEATURES

-60V, -13A, RDS(ON) = 125mW @VGS = -10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RDS(ON) = 175mW @VGS = -4.5V.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CED20P06

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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