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CED6186	文件：421.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED6186A	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,30.6A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6186	文件：619.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,8A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6186	文件：408.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,8A,RDS(ON)=26mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM6186A	文件：636.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,8.1A,RDS(ON)=21mW@VGS=10V. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6186	文件：438.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6186A	文件：454.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6186	文件：421.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU6186A	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,30.6A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC6186	文件：957.73 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,24A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=30mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC6186A	文件：964.4 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,26A,RDS(ON)=20.5mW@VGS=10V. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FP6186	文件：622.49 Kbytes Page：17 Pages	2A,23V,1.4MHzStep-DownConverter	FEELINGFeeling Technology Corp. 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
ISL6186	文件：873.99 Kbytes Page：18 Pages	USBPortPowerSupplyController	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
ISL6186	文件：722.32 Kbytes Page：18 Pages	USBPortPowerSupplyController	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6186	文件：9.95425 Mbytes Page：44 Pages	Providinghigh-performancesolutionsforeverylinkinthesignalchain	Intersil Intersil Corporation	Intersil
PCA-6186-B	文件：342.85 Kbytes Page：1 Pages	Socket478Pentium?4/Celeron?D/CeleronProcessorCardwithVGA/DualGbELAN	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國）有限公司	ADVANTECH
PE6186	文件：436.07 Kbytes Page：4 Pages	5WattRFLoadUpto6GHzWithNMaleInputAluminum	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE6186	文件：232.77 Kbytes Page：3 Pages	50Ohm5WattsAluminumNMaleRFLoadUpTo6GHz	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
SFH6186	文件：235.92 Kbytes Page：8 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,LowInputCurrent DESCRIPTION TheSFH618A(DIP)andSFH6186(SMD)featureahighcurrenttransferratio,lowcouplingcapacitanceandhighisolationvoltage.ThesecouplershaveaGaAsinfrareddiodeemitter,whichisopticallycoupledtosiliconplanarphototransistordetector,andisincorporatedinaplasticDI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SFH6186	文件：146.54 Kbytes Page：9 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,LowInputCurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
CED6186
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
艾睿國際（香港）有限公司	CED6186	CET(華瑞)	2112+	TO-251(I-PAK)	105000	80個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	CED6186	CET	21+	TO-251	100	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	CED6186	CET/華瑞	23+	TO-251(I-PAK)	22820	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CED6186	VBsemi	21+	TO252	10065	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	CED6186	VBsemi	2236+	TO252	5678	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	CED6186		24+	N/A	72000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	CED6186	CET	23+	TO-251	50	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	CED6186	CET	24+	TO-251	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市宏興瑞科技有限公司	CED6186	VBsemi	23+	TO252	10000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	CED6186	VBsemi	24+	TO252	18000	原裝正品有掛有貨假一賠十	詢價

更多CED6186供應(yīng)商更新時間2024-12-22 15:00:00

詳細參數(shù)

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