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CEF07N65LN中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
CEF07N65LN |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
518.57 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-10 16:41:00 |
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CEF07N65LN規(guī)格書詳情
FEATURES
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
RoHS compliant.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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CET |
TO-220F |
50000 |
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CET |
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CET |
13+ |
TO-220F |
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CET/華瑞 |
19+ |
TO-220F |
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CET/華瑞 |
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