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CEIF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEP630N	文件：596.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEPF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEU630N	文件：1.89636 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEU630N	文件：611.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,7.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEUF630	文件：502.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●200V,9A,RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM630PAPT	文件：201.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CL630-CRM	文件：801.32 Kbytes Page：2 Pages	3rd/2ndGenIntel?Xeon?/Intel?CoreTMATX	GSR GSR Technology Ltd	GSR
COM630-B	文件：1.39636 Mbytes Page：2 Pages	COMExpressCarrierBoard	DFIDFI Inc 友通資訊友通資訊股份有限公司	DFI
CP630	文件：36.79 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistorsPNP-SiliconDarlingtonTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize80x80MILS DieThickness8.0MILS BaseBondingPadArea18x27MILS EmitterBondingPadArea34x34MILS TopSideMetalizationAl-30,000? BackSideMetalizationTi/Pd/Ag-20,000?	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CS630	文件：25.79 Kbytes Page：2 Pages	PhaseControlThyristor ITRMS=1400A ITAVM=630A VRRM=1200-1600 Features ●Thyristorforlinefrequency ●Internationalstandardpackage ●Long-termstabilityofblockingvoltages ●Gateandauxiliarycathodepinconnection ●Amplifyinggate TypicalApplications ●DCMotorcontro	IXYS IXYS Corporation	IXYS
D630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
DC630	文件：25.56 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentPowerLineChokes	API API Delevan	API
DC630R	文件：1.14299 Mbytes Page：1 Pages	HighCurrentPowerLineChokes	API API Delevan	API
DC630V	文件：29.16 Kbytes Page：2 Pages	RadialLeadTypeMonolithicCeramicCapacitors	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
E630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CEIF630B
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	CEIF630B	CET	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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更多CEIF630B供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 17:36:00

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