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CEP20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP20N65SA	文件：529.61 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP20N65SF	文件：400.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. Fastreverserecoverytime. Drivecircuitscanbesimple.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEW20N65SA	文件：455.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,20A,RDS(ON)=0.18W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR20N65AFG	文件：2.68488 Mbytes Page：8 Pages	LowIntrinsicCapacitances	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR20N65FG	文件：8.63665 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HM20N65F	文件：875.53 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMG20N65F	文件：1.10334 Mbytes Page：8 Pages	HighEfficiencyforMotorControl.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HRH20N65ANF	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N65ANP	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N65ANV	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N65ANW	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N65ANX	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
ICE20N65	文件：607.48 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE20N65	文件：1.00081 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE20N65FP	文件：589.51 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE20N65FP	文件：982.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
IXTA20N65X	文件：236.71 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA20N65X	文件：297.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH20N65X	文件：381.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEP20P06	SR	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
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更多CEP20N65S供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 15:36:00

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