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CEP20P06	文件：103.82 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-60V,-15A,RDS(ON)=105m?@VGS=-10V. RDS(ON)=150m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP20P06	文件：743.03 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-14A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP20P06_10	文件：441.65 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU20P06	文件：610.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-13A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU20P06	文件：143.45 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-13A,RDS(ON)=105m?@VGS=-10V. RDS(ON)=150m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM20P06PAPT	文件：184.65 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT13Ampere FEATURE Smallflatpackage.(TO-252A) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
EMB20P06A	文件：231.19 Kbytes Page：6 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
ME20P06	文件：985.5 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD20P06	文件：988.41 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD20P06	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD20P06HDL	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD20P06HDL	文件：91.91 Kbytes Page：8 Pages	P??hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP20P06SLG	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP20P06YLG	文件：126.55 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=47m?MAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64m?MAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70m?MAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTD20P06HD	文件：987.97 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTD20P06L	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD20P06L	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CEP20P06
制造商：
CET
制造商全稱(chēng)：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEP20P06	SR	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	CEP20P06	CET	2020+	TO-220	4500	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	CEP20P06	CET/華瑞	19+	TO-220	67755	原廠(chǎng)代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠(chǎng)；	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	CEP20P06	CET	23+	TO-220	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!	詢(xún)價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	CEP20P06	CET	18+	TO-220	85600	保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	CEP20P06	CET	20+	TO-220	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	CEP20P06	VBsemi	2020+	TO-220	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	CEP20P06	CET	23+	原廠(chǎng)原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	CEP20P06	CET(華瑞)	2112+	TO-220(TO-220-3)	115000	50個(gè)/管一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期	詢(xún)價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	CEP20P06	CET	21+	TO-220	5443	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢(xún)價(jià)

更多CEP20P06供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 15:36:00

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