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CG2H40010F分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CG2H40010F
廠商型號

CG2H40010F
參數(shù)屬性

CG2H40010F 封裝/外殼為440166；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET HEMT 28V 440166
功能描述

10 W, DC - 6 GHz, RF Power GaN HEMT
封裝外殼

440166
文件大小

2.18476 Mbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Cree, Inc
企業(yè)簡稱

Cree【科銳】

中文名稱

科銳官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-30 15:00:00
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CG2H40010F規(guī)格書詳情

Cree’s CG2H40010 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CG2H40010, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and wide bandwidth capabilities making the CG2H40010 ideal for linear and compressed amplifer circuits. The transistor is available in both screw-down, ?ange and solderdown, pill packages.

FEATURES

? Up to 8 GHz Operation

? 18 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz

? 16 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz

? 17 W typical PSAT

? 70 Effciency at PSAT

? 28 V Operation

APPLICATIONS

? 2-Way Private Radio

? Broadband Amplifers

? Cellular Infrastructure

? Test Instrumentation

? Class A, AB, Linear amplifers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CG2H40010F

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GaN

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 頻率：

    8GHz

  • 增益：

    16.5dB

  • 封裝/外殼：

    440166

  • 供應商器件封裝：

    440166

  • 描述：

    RF MOSFET HEMT 28V 440166

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